Mram
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)
MRAM ( Magnetoresistive Random Access Memory ) diperkirakan akan merevolusi industri PC dunia, terutama karena teknologi ini memiliki kecepatan 1.000 kali lebih cepat dibandingkan nonvolatile flash memory dan hampir 10 kali lebih cepat dari teknologi DRAM ( Dynamic Random Access Memory ). "Nonvolatile" berarti bahwa dengan teknologi MRAM memungkinkan mempertahankan memori meskipun sumber dayanya terputus. Selain itu, konsumsi energinya rendah, sehingga sangat cocok digunakan untuk komputer dan ponsel masa depan.
MRAM tidak saja memori baru yang lebih cepat, melainkan “permainan” yang sama sekali baru. Karena, dengan MRAM, yang sudah mulai dikembangkan sejak 1990an, baik prosesor, bridges maupun piranti lunak harus menyesuaikan diri dengan kemampuan memori baru ini - non-volatile dan jauh lebih cepat.
Permintaan yang dalam dekade lalu terus meningkat terhadap storage magnetic , semakin mendorong proses pembuatan yang semakin canggih, bervariasi dan berpindah dari skala mikro ke nano ( nano-magnetism ). Salah satu yang diperkirakan akan berkembang pesat ke depan dan, bahkan, akan mengubah industri computer dunia, adalah MRAM.
MRAM merupakan teknologi penyimpanan data menggunakan muatan magnetik, bukan muatan listrik sebagaimana dilakukan pada teknologi DRAM. Sebaliknya, MRAM menawarkan RAM yang bersifat lebih stabil ( non-volatile ), sehingga memungkinkan berbagai perangkat yang menggunakannya, misalnya komputer dan ponsel. Teknologi ini, merupakan sesuatu yang baru, yang berada di antara teknologi DRAM yang ada saat ini dan disk magnetik.
Mengapa baru? Karena, selama ini chip komputer yang berbasis teknologi RAM ( random access memory ) konvensional hanya mampu menyimpan data selama ada arus listrik. Begitu arusnya terputus, maka datanya hilang, kecuali telah disalin ke dalam harddisk , disket atau CD.
SRAM ( synchronous random access memory ) bercatu daya rendah, lebih cepat, tetapi lebih mahal disbanding DRAM. DRAM membutuhkan daya yang lebih besar dan lebih lambat dibanding SRAM, tetapi harganya lebih murah; keduanya tak mampu menyimpan data kalau arusnya mati. Flash memory sebaliknya, tetapi harganya mahal dan daur hidupnya singkat, dan lambat menerima data.
Karenanya pilihan terhadap MRAM semakin meningkat, terutama karena MRAM mampu mempertahankan data meskipun arus listriknya mati. Dengan begitu, menggantikan DRAM dengan MRAM, berarti memberi kemungkinan untuk mencegah kehilangan data, sehingga komputer dapat segera bekerja kembali tanpa perlu menunggu mem- boot piranti lunaknya.
Selain itu, dengan menggunakan MRAM, laptop dapat bekerja sebagaimana layaknya berbagai perangkat elektronik masa kini, seperti radio atau TV: colokkan ke listrik dan laptop akan hidup seketika dengan posisi sebagaimana saat Anda matikan, tidak perlu lagi mem boot sebagaimana saat ini.
Melihat potensi penggunannya ke depan, saat ini, banyak perusahaan, termasuk misalnya Motorola, yang giat mengembangkan teknologi MRAM ini. Karena MRAM diperkirakan akan menggantikan penggunaan yang luas dari harddisk computer atau memori di ponsel, atau perangkat lainnya.
Selain itu, penggabungan beberapa opsi memori ke dalam suatu chip tunggal, yang disebut “universal memory”, akan membuat konsumsi dayanya lebih kecil. Chip berbasis MRAM 3V dengan waktu akses 15 nanoseconds telah berhasil dikembangkan Motorola. Pengembangan Chip berkapasitas 256MB diusulkan untuk dilakukan, dimana IBM dan Infineon Technologies AG terlibat di dalamnya, dan produknya diperkirakan sudah akan masuk pasar di penghujung 2004 ini.
Universal memory sangat potensial memadukan kecepatan SRAM, kepadatan DRAM, dan nonvolatility -nya flash memory , sehingga memiliki keunggulan tersendiri dibandingkan teknologi storage sebelumnya.
Sejak awal pengembangannya tahun 1990an, MRAM terus dikembangkan. Sekitar tahun 1995, Badan riset departemen pertahanan Amerika Serikat, DARPA ( Defense Advanced Research Projects Agency ) mendukung pendanaan konsorsium pengembangan MRAM ini, dimana IBM, Motorola dan Honeywell merupakan tiga perusahaan besar yang terlibat di dalamnya. Selain itu, Hewlett-Packard, Matsushita, NEC, Fujitsu, Toshiba, Hitachi , dan Siemens juga telah mengembangkan riset-riset mengenai MRAM ini.
MRAM, sebagaimana ditunjukkan oleh keberhasilan pengembangan Motorola, diperkirakan akan menggantikan memori DRAM, flash-memory chips , dan semua perangkat yang berbasis SRAM yang paling cepat sekalipun.
Pengembangan MRAM, selain berhasil membuat memori magnetik berdaya rendah, kecepatan tinggi, bersifat non-volatile , juga, salah satunya, diarahkan untuk memungkinkan pembuatan perangkat-perangkat dimana MRAM ditanamkan ke dalam chipnya ( embedded system-on-chip devices ). Hal ini, nantinya, akan sangat potensial digunakan untuk pembuatan chip tunggal untuk keperluan berbagai perangkat portabel masa datang, seperti aplikasi nirkabel, organizers, automotive electronics, desktop dan PC jinjing, serta elektronik konsumen.
Ke depan, smart phones , yang menggabungkan berbagai fitur, baik suara, data dan multimedia, akan membutuhkan kapasitas memori yang lebih besar. Karena, memori yang ditanamkan ke dalam harus mampu berkomunikasi dengan berbagai konfigurasi prosesor, sehingga bukan saja membutuhkan kinerja yang lebih baik, melainkan juga cepat dan daya yang lebih rendah. Dan, itu bisa dijawab oleh ketersediaan MRAM.
Saat ini, pengembangan MRAM mengikuti dua pola besar, yang satu berbasis teknologi spin electronics dan sering juga disebut "spintronics", sedang yang lain berbasis TMR ( tunneling magnetic resistance ), yang akan menjadi basis MRAM masa depan. Pengembangan MRAM berbasis TMR ini sudah dimulai, dimana tahun 2003 lalu, chip MRAM 128 kbit, yang diproduksi menggunakan teknologi 0.18 micron, sudah diperkenalkan.
Sedang MRAM yang berbasis spin electronics , diperkirakan akan mulai diproduksi secara besar-besaran tahun 2005 datang, yang akan banyak digunakan untuk berbagai produk, antara lain: kamera digital, notebook, smart card dan ponsel.
Perkembangan MRAM sangat berpeluang untuk berbagai penggunaan yang bersifat tertanam ( embedded ), misalnya pada berbagai perangkat yang membutuhkan penyimpanan data yang permanen dan bercatu daya rendah. Salah satu kandidat penggunanya adalah perangkat nirkabel yang menggunakan batere, khususnya yang banyak digunakan untuk men streaming video atau audio data. Pangsa pasar potensial lainnya adalah network routers , yang menangani banyak data yang terus menerus diperbarui, sehingga tidak boleh rentan terhadap kehilangan atau gangguan daya.
Saat ini, berbagai pengembangan MRAM terus dilakukan oleh berbagai perusahaan besar dengan berbagai tujuan penggunannya. Namun, salah satu yang sangat menarik dari MRAM ini adalah bahwa daur hidupnya hampir tak terbatas. Sedang, kalau flash memory , meski harganya tak begitu mahal, namun akan mengalami deteriorisasi setelah siklus ke sejuta.
MRAM sangat potensial menjadi teknologi memori universal di masa datang”, ujar Dr. T. C. Chen, VP Science and Technology, IBM Research. "Terobosan ini menunjukkan bahwa teknologi MRAM sangat cepat matang dan, dalam beberapa tahun ke depan, secara mendasar akan menjadi pengganti semua pasar memori”. IBM dan Infineon, yang didukung oleh lebih dari 3.000 periset utama yakin, pada tahun 2005 mendatang ini berbagai produk yang menggunakan MRAM sudah akan tersedia di pasar.
MRAM ( Magnetoresistive Random Access Memory ) diperkirakan akan merevolusi industri PC dunia, terutama karena teknologi ini memiliki kecepatan 1.000 kali lebih cepat dibandingkan nonvolatile flash memory dan hampir 10 kali lebih cepat dari teknologi DRAM ( Dynamic Random Access Memory ). "Nonvolatile" berarti bahwa dengan teknologi MRAM memungkinkan mempertahankan memori meskipun sumber dayanya terputus. Selain itu, konsumsi energinya rendah, sehingga sangat cocok digunakan untuk komputer dan ponsel masa depan.
MRAM tidak saja memori baru yang lebih cepat, melainkan “permainan” yang sama sekali baru. Karena, dengan MRAM, yang sudah mulai dikembangkan sejak 1990an, baik prosesor, bridges maupun piranti lunak harus menyesuaikan diri dengan kemampuan memori baru ini - non-volatile dan jauh lebih cepat.
Permintaan yang dalam dekade lalu terus meningkat terhadap storage magnetic , semakin mendorong proses pembuatan yang semakin canggih, bervariasi dan berpindah dari skala mikro ke nano ( nano-magnetism ). Salah satu yang diperkirakan akan berkembang pesat ke depan dan, bahkan, akan mengubah industri computer dunia, adalah MRAM.
MRAM merupakan teknologi penyimpanan data menggunakan muatan magnetik, bukan muatan listrik sebagaimana dilakukan pada teknologi DRAM. Sebaliknya, MRAM menawarkan RAM yang bersifat lebih stabil ( non-volatile ), sehingga memungkinkan berbagai perangkat yang menggunakannya, misalnya komputer dan ponsel. Teknologi ini, merupakan sesuatu yang baru, yang berada di antara teknologi DRAM yang ada saat ini dan disk magnetik.
Mengapa baru? Karena, selama ini chip komputer yang berbasis teknologi RAM ( random access memory ) konvensional hanya mampu menyimpan data selama ada arus listrik. Begitu arusnya terputus, maka datanya hilang, kecuali telah disalin ke dalam harddisk , disket atau CD.
SRAM ( synchronous random access memory ) bercatu daya rendah, lebih cepat, tetapi lebih mahal disbanding DRAM. DRAM membutuhkan daya yang lebih besar dan lebih lambat dibanding SRAM, tetapi harganya lebih murah; keduanya tak mampu menyimpan data kalau arusnya mati. Flash memory sebaliknya, tetapi harganya mahal dan daur hidupnya singkat, dan lambat menerima data.
Karenanya pilihan terhadap MRAM semakin meningkat, terutama karena MRAM mampu mempertahankan data meskipun arus listriknya mati. Dengan begitu, menggantikan DRAM dengan MRAM, berarti memberi kemungkinan untuk mencegah kehilangan data, sehingga komputer dapat segera bekerja kembali tanpa perlu menunggu mem- boot piranti lunaknya.
Selain itu, dengan menggunakan MRAM, laptop dapat bekerja sebagaimana layaknya berbagai perangkat elektronik masa kini, seperti radio atau TV: colokkan ke listrik dan laptop akan hidup seketika dengan posisi sebagaimana saat Anda matikan, tidak perlu lagi mem boot sebagaimana saat ini.
Melihat potensi penggunannya ke depan, saat ini, banyak perusahaan, termasuk misalnya Motorola, yang giat mengembangkan teknologi MRAM ini. Karena MRAM diperkirakan akan menggantikan penggunaan yang luas dari harddisk computer atau memori di ponsel, atau perangkat lainnya.
Selain itu, penggabungan beberapa opsi memori ke dalam suatu chip tunggal, yang disebut “universal memory”, akan membuat konsumsi dayanya lebih kecil. Chip berbasis MRAM 3V dengan waktu akses 15 nanoseconds telah berhasil dikembangkan Motorola. Pengembangan Chip berkapasitas 256MB diusulkan untuk dilakukan, dimana IBM dan Infineon Technologies AG terlibat di dalamnya, dan produknya diperkirakan sudah akan masuk pasar di penghujung 2004 ini.
Universal memory sangat potensial memadukan kecepatan SRAM, kepadatan DRAM, dan nonvolatility -nya flash memory , sehingga memiliki keunggulan tersendiri dibandingkan teknologi storage sebelumnya.
Sejak awal pengembangannya tahun 1990an, MRAM terus dikembangkan. Sekitar tahun 1995, Badan riset departemen pertahanan Amerika Serikat, DARPA ( Defense Advanced Research Projects Agency ) mendukung pendanaan konsorsium pengembangan MRAM ini, dimana IBM, Motorola dan Honeywell merupakan tiga perusahaan besar yang terlibat di dalamnya. Selain itu, Hewlett-Packard, Matsushita, NEC, Fujitsu, Toshiba, Hitachi , dan Siemens juga telah mengembangkan riset-riset mengenai MRAM ini.
MRAM, sebagaimana ditunjukkan oleh keberhasilan pengembangan Motorola, diperkirakan akan menggantikan memori DRAM, flash-memory chips , dan semua perangkat yang berbasis SRAM yang paling cepat sekalipun.
Pengembangan MRAM, selain berhasil membuat memori magnetik berdaya rendah, kecepatan tinggi, bersifat non-volatile , juga, salah satunya, diarahkan untuk memungkinkan pembuatan perangkat-perangkat dimana MRAM ditanamkan ke dalam chipnya ( embedded system-on-chip devices ). Hal ini, nantinya, akan sangat potensial digunakan untuk pembuatan chip tunggal untuk keperluan berbagai perangkat portabel masa datang, seperti aplikasi nirkabel, organizers, automotive electronics, desktop dan PC jinjing, serta elektronik konsumen.
Ke depan, smart phones , yang menggabungkan berbagai fitur, baik suara, data dan multimedia, akan membutuhkan kapasitas memori yang lebih besar. Karena, memori yang ditanamkan ke dalam harus mampu berkomunikasi dengan berbagai konfigurasi prosesor, sehingga bukan saja membutuhkan kinerja yang lebih baik, melainkan juga cepat dan daya yang lebih rendah. Dan, itu bisa dijawab oleh ketersediaan MRAM.
Saat ini, pengembangan MRAM mengikuti dua pola besar, yang satu berbasis teknologi spin electronics dan sering juga disebut "spintronics", sedang yang lain berbasis TMR ( tunneling magnetic resistance ), yang akan menjadi basis MRAM masa depan. Pengembangan MRAM berbasis TMR ini sudah dimulai, dimana tahun 2003 lalu, chip MRAM 128 kbit, yang diproduksi menggunakan teknologi 0.18 micron, sudah diperkenalkan.
Sedang MRAM yang berbasis spin electronics , diperkirakan akan mulai diproduksi secara besar-besaran tahun 2005 datang, yang akan banyak digunakan untuk berbagai produk, antara lain: kamera digital, notebook, smart card dan ponsel.
Perkembangan MRAM sangat berpeluang untuk berbagai penggunaan yang bersifat tertanam ( embedded ), misalnya pada berbagai perangkat yang membutuhkan penyimpanan data yang permanen dan bercatu daya rendah. Salah satu kandidat penggunanya adalah perangkat nirkabel yang menggunakan batere, khususnya yang banyak digunakan untuk men streaming video atau audio data. Pangsa pasar potensial lainnya adalah network routers , yang menangani banyak data yang terus menerus diperbarui, sehingga tidak boleh rentan terhadap kehilangan atau gangguan daya.
Saat ini, berbagai pengembangan MRAM terus dilakukan oleh berbagai perusahaan besar dengan berbagai tujuan penggunannya. Namun, salah satu yang sangat menarik dari MRAM ini adalah bahwa daur hidupnya hampir tak terbatas. Sedang, kalau flash memory , meski harganya tak begitu mahal, namun akan mengalami deteriorisasi setelah siklus ke sejuta.
MRAM sangat potensial menjadi teknologi memori universal di masa datang”, ujar Dr. T. C. Chen, VP Science and Technology, IBM Research. "Terobosan ini menunjukkan bahwa teknologi MRAM sangat cepat matang dan, dalam beberapa tahun ke depan, secara mendasar akan menjadi pengganti semua pasar memori”. IBM dan Infineon, yang didukung oleh lebih dari 3.000 periset utama yakin, pada tahun 2005 mendatang ini berbagai produk yang menggunakan MRAM sudah akan tersedia di pasar.
Read User's Comments (0)